• Tântalo Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G
Tântalo Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G

Tântalo Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: NVMFS5C430NWFAFT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T, L/C
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Estado do produto: Ativo Tipo do FET: N-canal
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Drene à tensão da fonte (Vdss): 40 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc) Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 3.5V @ 250µA

Descrição de produto

Tântalo Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G

 

N-canal 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), (Tc) montagem 5-DFN da superfície 106W (5x6) (8-SOFL)

 

Especificações de NVMFS5C430NWFAFT1G

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos de semicondutor discretos
Transistor
FETs, MOSFETs
Únicos FETs, MOSFETs
Mfr onsemi
Série Automotivo, AEC-Q101
Pacote Fita & carretel (TR)
Corte a fita (os CT)
Estado do produto Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 40 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 35A (Ta), 185A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 3300 PF @ 25 V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote/caso 8-PowerTDFN, 5 ligações
Número baixo do produto NVMFS5

 

CARACTERÍSTICAS de NVMFS5C430NWFAFT1G

 
• Pegada pequena (5x6 milímetro) para o design compacto
• Baixo RDS (sobre) para minimizar perdas da condução
• Baixo QG e capacidade para minimizar o motorista Losses
• Opção Wettable do flanco do − de NVMFS5C430NWF para a inspeção ótica aumentada
• AEC−Q101 qualificou e PPAP capaz
• Estes dispositivos são Pb−Free e são RoHS complacente
 

Aplicações de NVMFS5C430NWFAFT1G

 
1. O ambiente de aplicação inteiro impacta os valores da resistência térmica mostrados, não são constantes e são somente válidos para as circunstâncias particulares notáveis.
2. Surface−mounted na placa FR4 que usa uns 650 mm2, 2 onças. Almofada do Cu.
3. A corrente máxima para pulsos contanto que 1 segundo for mais alto mas for dependente da duração do pulso e do ciclo de dever.
 

Classificações ambientais & da exportação de NVMFS5C430NWFAFT1G

 
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Tântalo Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G 0

 

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