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PARALELA 45NS 44TSOP de IC 4MBIT da microplaqueta do circuito integrado de CY62147G30-45ZSXAT
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | CY62147G30-45ZSXAT |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Tamanho de memória: | 4Mbit | Organização da memória: | 256K x 16 |
|---|---|---|---|
| Relação da memória: | Paralelo | Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página: | 45ns |
| Tempo de acesso: | 45 ns | Tensão - fonte: | 2.2V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) | Formato da memória: | SRAM |
| Realçar: | CY62147G30-45ZSXAT,PARALELA 45NS DE IC 4MBIT,Microplaqueta do circuito integrado 44TSOP |
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Descrição de produto
Microplaqueta IC 4Mbit 45 paralelos ns 44-TSOP do circuito integrado de CY62147G30-45ZSXAT
PARALELA 44TSOP II DE IC SRAM 4MBIT
Especificações de CY62147G30-45ZSXAT
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | MoBL® |
| Pacote | Fita & carretel (TR) |
| Corte a fita (os CT) | |
| Estado do produto | Ativo |
| Tipo da memória | Temporário |
| Formato da memória | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Assíncrono |
| Tamanho de memória | 4Mbit |
| Organização da memória | 256K x 16 |
| Relação da memória | Paralelo |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 45ns |
| Tempo de acesso | 45 ns |
| Tensão - fonte | 2.2V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm) |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 44-TSOP II |
| Número baixo do produto | CY62147 |
Características de CY62147G30-45ZSXAT
■Alta velocidade: 45 ns/55 ns
■Variações da temperatura
❐ automotivo-Um: -40 C a +85 C do
❐ automotivo-e: -40 C a +125 C do
■Ultra-baixo poder à espera
Corrente à espera típica do ❐: 3,5 A
■CCE encaixada para o único-bocado de correção de erros [1, 2]
■Escala larga da tensão: 2,2 V a 3,6 V
■retenção dos dados 1.0-V
■entradas e saídas TTL-compatíveis
■48 bola Pb-livre VFBGA e 44 pacotes do pino TSOP II
Descrição funcional de CY62147G30-45ZSXAT
CY62147G/CY621472G é dispositivos de capacidade elevada de SRAM da baixa potência do CMOS (MoBL) com CCE encaixada. Ambos os dispositivos são
oferecido na única e microplaqueta dupla permita opções e em configurações de pino múltiplas.
Classificações ambientais & da exportação de CY62147G30-45ZSXAT
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
