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NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOLHÁVEL
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | NVMFWS015N10MCLT1G |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiable |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Estado do produto: | Ativo | Tipo do FET: | N-canal |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) | Drene à tensão da fonte (Vdss): | 100 V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 10.5A (Ta), 54A (Tc) | Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 12.2mOhm @ 14A, 10V | Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 3V @ 77µA |
| Destacar: | NVMFWS015N10MCLT1G,PTNG 100V LL NCH,100V LL NCH SO-8FL |
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Descrição de produto
NVMFWS015N10MCLT1G Tântalo Chip Capacitor Ptng 100v Ll Nch So-8fl Molhável
Canal N 100 V 10,5A (Ta), 54A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Especificações deNVMFWS015N10MCLT1G
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Transistores |
| FETs, MOSFETs | |
| Mfr | onsemi |
| Series | Automotivo, AEC-Q101 |
| Status do produto | Ativo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10,5A (Ta), 54A (Tc) |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12,2mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 77µA |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Vgs (Máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1338 pF @ 50 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 79W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN, 5 derivações |
Características deNVMFWS015N10MCLT1G
• Pegada pequena (5x6 mm) para design compacto
• Baixo RDS(on) para minimizar as perdas de condução
• Baixo QG e capacitância para minimizar as perdas do driver
• NVMFWS015N10MCL − Opção de flanco molhável para inspeção óptica aprimorada
Formulários deNVMFWS015N10MCLT1G
1. Todo o ambiente de aplicação afeta os valores de resistência térmica mostrados
e eles não são constantes e são válidos apenas para as condições particulares observadas.
2. Montagem em superfície na placa FR4 usando uma placa de 650 mm2, 2 oz.Cu almofada.
3. A corrente máxima para pulsos de até 1 segundo é maior, mas depende da duração do pulso e do ciclo de trabalho.
Classificações Ambientais e de Exportação deNVMFWS015N10MCLT1G
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
Deseja saber mais detalhes sobre este produto