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TPH2R306NH1, montagem de superfície do avanço do N-canal 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP do LQ
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | Original |
| Certificação: | Original |
| Número do modelo: | TPH2R306NH1, LQ |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Número da peça: | TPH2R306NH1, LQ | Tipo do FET: | N-canal |
|---|---|---|---|
| Drene à tensão da fonte (Vdss): | 60 V | Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 6.5V, 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 1mA | Vgs (máximo): | ±20V |
Descrição de produto
TPH2R306NH1, montagem de superfície do avanço do N-canal 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP do LQ
N-canal 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), (Tc) avanço de superfície da montagem 170W 8-SOP (5x5.75)
Características de TPH2R306NH1, LQ
Tipo N-canal do FET
MOSFET da tecnologia (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 136A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Identificação 4V @ 1mA de Vgs (th) (máximo) @
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs ±20V (máximo)
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 6100 PF @ 30 V
Dissipação de poder 800mW (máximo) (Ta), 170W (Tc)
Especificações de TPH2R306NH1, LQ
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Mfr
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Semicondutor e armazenamento de Toshiba
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Série
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U-MOSVIII-H
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Produto
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TPH2R306NH1, LQ
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Tipo do FET
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N-canal
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| Pacote | Fita & carretel |
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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60 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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136A (Tc)
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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6.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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2.3mOhm @ 50A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 1mA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
72 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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6100 PF @ 30 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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800mW (Ta), 170W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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150°C
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Avanço 8-SOP (5x5.75)
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Pacote/caso
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8-PowerTDFN
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Classificações ambientais & da exportação
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
