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TK100L60W N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) através do buraco TO-3P ((L))
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | TK100L60W |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 600 V | Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 5mA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 360 nC @ 10 V |
Descrição de produto
TK100L60W N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) através do buraco TO-3P ((L))
Especificações de TK100L60W
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
| Série | DTMOSIV |
| Pacote | Tubos |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 600 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 30V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 797W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3P(L) |
| Embalagem / Caixa | TO-3PL |
| Número do produto de base | TK100L60 |
Características do TK100L60W
(1) Resistência de baixa fonte de drenagem: RDS ((ON) = 0,015 Ω (tipo) por utilizado para Super Junction Structure : DTMOS
(2) Fácil de controlar comutação de portão
(3) Modo de reforço: Vth = 2,7 a 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 5 mA)
Aplicações de TK100L60W
Reguladores de voltagem de comutação
Classificações ambientais e de exportação deTK100L60W
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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