• NTHS5404T1G MOSFET de canal N 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) ChipFETTM de montagem de superfície
NTHS5404T1G MOSFET de canal N 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) ChipFETTM de montagem de superfície

NTHS5404T1G MOSFET de canal N 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) ChipFETTM de montagem de superfície

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: NT1classificação

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo de FET: N-canal Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 20 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 600 mV @ 250 μA (min)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 18 nC @ 4,5 V Vgs (máximo): ±12V
Realçar:

NTHS5404T1G MOSFET de canal N

,

MOSFET de canais N de montagem de superfície

,

MOSFET de canal N 20 V 5.2A

Descrição de produto

NSVT45010MW6T1G Transistor Bipolar Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW
 
Especificações de NT1classificação

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 20 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 5.2A (Ta)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 600 mV @ 250 μA (min)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 18 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ± 12 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor ChipFETTM
Embalagem / Caixa 8-SMD, chumbo plano
Número do produto de base NT1conhecimento

 

Características do NT1classificação


• Baixa RDS ((on) para uma maior eficiência
• Motor de porta de nível lógico
• Miniatura ChipFET Superficie Mount Package economiza espaço no quadro
• Disponível um pacote livre de Pb

 

 

 

Descrições de NT1classificação


• Gestão de energia em produtos portáteis e alimentados por bateria, ou seja, telefones celulares e sem fio e cartões PCMCIA

 

 


Classificações ambientais e de exportação deNT1classificação

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
NTHS5404T1G MOSFET de canal N 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) ChipFETTM de montagem de superfície 0


 

 

 

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