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NSVT45010MW6T1G Transistor Bipolar Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | NSVT45010MW6T1G |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de transistor: | 2 PNP (dual) | Atual - coletor (CI) (máximo): | 100 mA |
|---|---|---|---|
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): | 45 V | Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Atual - interrupção do coletor (máxima): | 15nA (ICBO) | Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: | 220 @ 2mA, 5V |
| Potência - Máximo: | 380mW | Frequência - transição: | 100 MHz |
| Realçar: | NSVT45010MW6T1G,NSVT45010MW6T1G Transtor Bipolar,2 PNP Bipolar Transistor Array |
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Descrição de produto
NSVT45010MW6T1G Transistor Bipolar Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW
Especificações de NSVT45010MW6T1G
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| Bipolar (BJT) | |
| Arrays de transistores bipolares | |
| Mfr | semi- |
| Série | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Tipo de transistor | 2 PNP (dual) |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 100 mA |
| Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) | 45 V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Corrente - limite do colector (máximo) | 15nA (ICBO) |
| O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Potência - Máximo | 380 mW |
| Frequência - Transição | 100 MHz |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Número do produto de base | NSVT45010 |
Características do NSVT45010MW6T1G
• Correspondência dos ganhos actuais a 10%
• Tensão de base-emissor correspondente a ≤ 2 mV
• Substituição automática do dispositivo padrão
• Prefixo NSV para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, livres de Halógenos/BFR e são compatíveis com a RoHS
Descrições de NSVT45010MW6T1G
Estes transistores estão alojados num pacote SOT-363 ultra-pequeno, ideal para produtos portáteis.eliminando a necessidade de cortar costososAplicações são espelhos de corrente; amplificadores diferenciais, sensíveis e equilibrados; misturadores; detectores e limitadores.
Classificações ambientais e de exportação deNSVT45010MW6T1G
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
