• MJF127G Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do buraco
MJF127G Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do buraco

MJF127G Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do buraco

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: MJF127G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP - Darlington Atual - coletor (CI) (máximo): 0.208333333
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 100 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 3.5V @ 20mA, 5A
Atual - interrupção do coletor (máxima): 10µA Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Potência - Máximo: 2 W Temperatura de funcionamento: -65°C ~ 150°C (TJ)

Descrição de produto

MJF127G Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do buraco
 
Especificações de MJF127G

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Tubos
Tipo de transistor PNP - Darlington
Corrente - colector (Ic) (máximo) 0.208333333
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 100 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 20mA, 5A
Corrente - limite do colector (máximo) 10 μA
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 3V
Potência - Máximo 2 W
Frequência - Transição -
Temperatura de funcionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa TO-220-3 Embalagem completa
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220FP
Número do produto de base MJF127

 
Características do MJF127G


• Eletricamente semelhante ao popular TIP122 e TIP127
• 100 VCEO ((sus)
• 5.0 Corrente nominal do colector
• Não são necessários lavadores isoladores
• Redução do custo do sistema
• Alto ganho de corrente contínua − 2000 (min) @ IC = 3 Adc
• UL reconhecido, ficheiro #E69369, para 3500 VRMS Isolamento
• Estão disponíveis pacotes livres de Pb*
 
Descrições deMJF127G

 

Projetados para amplificadores de uso geral e aplicações de comutação, quando for necessário isolar electricamente a superfície de montagem do dispositivo do disipador ou do chassi.

 


Classificações ambientais e de exportação deMJF127G
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) Não aplicável
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
MJF127G Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do buraco 0
 

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