• MJF15031G Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W através do buraco TO-220FP
MJF15031G Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W através do buraco TO-220FP

MJF15031G Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W através do buraco TO-220FP

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: MJF15031G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP Atual - coletor (CI) (máximo): 0.333333333
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 150 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 500mV @ 100mA, 1A
Atual - interrupção do coletor (máxima): 10µA Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 20 @ 4A, 2V
Potência - Máximo: 2 W

Descrição de produto

MJF15031G Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W através do buraco TO-220FP
 
Especificações de MJF15031G

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Tubos
Tipo de transistor PNP
Corrente - colector (Ic) (máximo) 0.333333333
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 150 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Corrente - limite do colector (máximo) 10 μA
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V
Potência - Máximo 2 W
Frequência - Transição 30 MHz
Temperatura de funcionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa TO-220-3 Embalagem completa
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220FP
Número do produto de base MJF15031

 
Características do MJF15031G


• Eletricamente semelhante ao popular MJE15030 e MJE15031
• Não são necessários lavadores isoladores, reduzido o custo do sistema
• Produto de Ganho de Corrente de Alta Largura de Banda
• UL reconhecido, ficheiro #E69369, para 3500 VRMS Isolamento
• Estes Dispositivos são livres de Pb− e estão em conformidade com a RoHS*


 
Descrições deMJF15031G


Projetados para aplicações de amplificador e comutação de uso geral, em que a superfície de montagem do dispositivo deve ser electricamente isolada do disipador ou do chassi.


 
Classificações ambientais e de exportação de
MJF15031G
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) Não aplicável
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
MJF15031G Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W através do buraco TO-220FP 0
 

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