• DTD113EK T146 Transistor bipolar pré-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
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DTD113EK T146 Transistor bipolar pré-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

DTD113EK T146 Transistor bipolar pré-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: DTD113EK T146

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP - Preconceito Frequência - transição: 250 MHz
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 50 V Resistor - base (R1): kOhms 1
Resistor - base do emissor (R2): kOhms 1 Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 300 mV @ 250 μA, 5 mA Atual - coletor (CI) (máximo): 500nA

Descrição de produto

DTD113EK T146 Transistor bipolar pré-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
 
Especificações de DTD113EK T146

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos, pré-biasados
Mfr Semicondutores Rohm
Série Automóveis, AEC-Q101
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de transistor NPN - Preconceito
Corrente - colector (Ic) (máximo) 500 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 50 V
Resistência - Base (R1) 1 kOhms
Resistência - Base do emissor (R2) 1 kOhms
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Corrente - limite do colector (máximo) 500nA
Frequência - Transição 200 MHz
Potência - Máximo 200 mW
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor SMT3
Número do produto de base DTD113

 
Características do DTD113EK T146


1) Resistências de desvio integradas, R1 = R2 = 1 kW.
2) As resistências de desvio incorporadas permitem a configuração de um circuito de inversor sem conectar resistências de entrada externas (ver circuito interno).
3) As resistências de distorção consistem em resistências de filme fino com isolamento completo para permitir distorção negativa
Os produtos de limpeza têm também a vantagem de eliminar completamente os efeitos parasitários.
4) Apenas as condições de ligação/desligação precisam ser definidas para o funcionamento, facilitando a concepção do circuito.
5) Tipos de PNP complementares: série DTB113EK
6) Livre de chumbo/conforme à RoHS.

 

 

 

Aplicações de DTD113EK T146

 

Circuito de comutação, circuito de inversor, circuito de interface, circuito de condutor

 


Classificações ambientais e de exportação deDTD113EK T146

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTD113EK T146 Transistor bipolar pré-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 0
 

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