• IPP320N20N3GXKSA MOSFET N-Channel IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) através do buraco PG-TO220-3
IPP320N20N3GXKSA MOSFET N-Channel IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) através do buraco PG-TO220-3

IPP320N20N3GXKSA MOSFET N-Channel IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) através do buraco PG-TO220-3

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: IPP320N20N3GXKSA

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 200 V Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (máximo): ± 20V Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Realçar:

IPP320N20N3GXKSA

,

IPP320N20N3GXKSA MOSFET IC

,

IC MOSFET de canal N

Descrição de produto

IPP320N20N3GXKSA N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) através do buraco PG-TO220-3

 

Especificações de IPP320N20N3GXKSA

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr Tecnologias Infineon
Série OptiMOSTM
Pacote Tubos
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 200 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 136 W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Através do Buraco
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO220-3
Embalagem / Caixa TO-220-3
Número do produto de base IPP320

 

Especificações deIPP320N20N3GXKSA


• Canal N, nível normal
• Excelente taxa de entrada x R DS ((on) produto (FOM)
• Resistência de entrada muito baixa R DS ((on)
• temperatura de funcionamento de 175 °C
• Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com a RoHS
• Qualificado de acordo com o JEDEC1) para aplicação específica
• Sem halogénio, de acordo com a norma IEC 61249-2-21
• Ideal para comutação de alta frequência e retificação síncrona

 

 

Classificações ambientais e de exportação deIPP320N20N3GXKSA

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

IPP320N20N3GXKSA MOSFET N-Channel IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) através do buraco PG-TO220-3 0

 

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