• FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Monte de superfície SOT-223-3
FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Monte de superfície SOT-223-3

FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Monte de superfície SOT-223-3

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: FZT851TA

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Tipo de transistor: NPN Atual - coletor (CI) (máximo): 0.25
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 60 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 375 mV @ 300mA, 6A
Atual - interrupção do coletor (máxima): 50nA (ICBO) Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 100 @ 2A, 1V
Potência - Máximo: 3 W Frequência - transição: 130MHz

Descrição de produto

FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Monte de superfície SOT-223-3

 

Especificações de FZT851TA

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr Diodos incorporados
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de transistor NPN
Corrente - colector (Ic) (máximo) 0.25
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 60 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 375 mV @ 300mA, 6A
Corrente - limite do colector (máximo) 50nA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Potência - Máximo 3 W
Frequência - Transição 130 MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-223-3
Número do produto de base FZT851

 
Características do FZT851TA


• BVCEO > 60 V
• IC = 6A Corrente contínua elevada do colector
• ICM = 20A Corrente de Pico de Pulso
• Baixa tensão de saturação VCE (sat) < 100mV @ 1A
• RCE ((sat) = 44mΩ para uma baixa resistência de ligação equivalente
• hFE especificado até 10A para uma retenção de ganho elevado
• Tipo de PNP complementar: FZT951
• Finalização livre de chumbo, compatível com a RoHS (Notas 1 e 2)
• Sem halogénio e sem antimónio.
• O FZT851Q é adequado para aplicações automotivas que exijam controlo de mudança específico; esta peça é qualificada AEC-Q101, com capacidade PPAP e fabricada em instalações certificadas IATF16949.


 
Aplicações de FZT851TA


• Caso: SOT223 Tipo DN
• Material da caixa: Plástico moldeado, composto de moldagem verde. Classificação de inflamabilidade UL 94V-0
• Sensibilidade à humidade: Nível 1 por J-STD-020
• Terminals: Finish - Matte Tin Plated Leads. Soldável de acordo com MIL-STD-202, Método 208
• Peso: 0,112 gramas (aproximado)
 
Ambiental &Classificações de exportação de 
FZT851TA

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Afetado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Monte de superfície SOT-223-3 0

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