• MMBT2907ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW
MMBT2907ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

MMBT2907ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: MMBT2907ALT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
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Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP Atual - coletor (CI) (máximo): 600 miliampères
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 60 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 1.6V @ 50mA, 500mA
Atual - interrupção do coletor (máxima): 10nA (ICBO) Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Potência - Máximo: 300 mW Frequência - transição: 200 MHz

Descrição de produto

MMBT2907ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW


Especificações de MMBT2907ALT1G

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de transistor PNP
Corrente - colector (Ic) (máximo) 600 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 60 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Corrente - limite do colector (máximo) 10nA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Potência - Máximo 300 mW
Frequência - Transição 200 MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto de base MMBT2907

 
Características do MMBT2907ALT1G


• Prefixo S para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo;

AEC-Q101 Qualificado e capaz de PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, de Halógenos/BFR e estão em conformidade com a RoHS
 
Aplicações deMMBT2907ALT1G


2F = Código do dispositivo
M = Código de data*
* Data Orientação do código e/ou barra superior
variam em função do local de fabrico.
 
Ambiental &Classificações de exportação de 
MMBT2907ALT1G
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
MMBT2907ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW 0

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