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Matriz Mosfet FDMC8200s 30V 6A, 8,5A 700mW, 1W Montagem em superfície 8-Power33 (3x3)
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | FDMC8200s |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) | Configuração: | N-canal 2 (duplo) |
|---|---|---|---|
| Característica do FET: | Porta do nível da lógica | Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 30V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 6A, 8.5A | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
Descrição de produto
FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Especificações de FDMC8200s
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET, MOSFET Arrays | |
| Mfr | semi- |
| Série | PowerTrench® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Configuração | 2 canais N (dual) |
| Característica FET | Porta de nível lógico |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 6A, 8.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15V |
| Potência - Máximo | 700mW, 1W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 8-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-Power33 (3x3) |
| Número do produto de base | FDMC82 |
Características do FDMC8200s
• Q1: N-canal
* Max rDS ((on) = 20 m a VGS = 10 V, ID = 6 A
* Max rDS ((on) = 32 m a VGS = 4,5 V, ID = 5 A
• Q2: N-canal
* Max rDS ((on) = 10 m a VGS = 10 V, ID = 8,5 A
* Max rDS ((on) = 13,5 m a VGS = 4,5 V, ID = 7,2 A
• Este dispositivo é livre de Pb−, livre de halogenetos e está em conformidade com a RoHS
Aplicações de FDMC8200s
• Computadores móveis
• Dispositivos móveis de Internet
• Ponto de carga de propósito geral
Ambiental &Classificações de exportação de FDMC8200s
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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