• SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8

SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: SQJ422EP-T1_GE3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 40 V Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (máximo): ± 20V Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Realçar:

SQJ422EP-T1_GE3

,

Potência de SO-8 smd

Descrição de produto

SQJ422EP-T1_GE3 N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8


Especificações deSQJ422EP-T1_GE3

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr Vishay Siliconix
Série Automóveis, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 40 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 74A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4660 pF @ 20 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8
Embalagem / Caixa PowerPAK® SO-8
Número do produto de base SQJ422

 

Características do SQJ422EP-T1_GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg e UIS testados
• Qualificação AEC-Q101

 

 


Ambiental &Classificações de exportação de SQJ422EP-T1_GE3
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8 0

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8 você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.