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SMUN5113T1G Transistor bipolar pré-viado PNP - pré-viado 50 V 100 mA 202 mW
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | SMUN5113T1G |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de transistor: | PNP - Preconceito | Atual - coletor (CI) (máximo): | 100 miliampères |
|---|---|---|---|
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): | 50 V | Resistor - base (R1): | 47 kOhms |
| Resistor - base do emissor (R2): | 47 kOhms | Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: | 250 mV @ 300 μA, 10 mA | Atual - interrupção do coletor (máxima): | 500nA |
Descrição de produto
SMUN5113T1G Transistor bipolar pré-viado PNP - pré-viado 50 V 100 mA 202 mW
Especificações de SMUN5113T1G
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| Bipolar (BJT) | |
| Transistores bipolares únicos, pré-biasados | |
| Mfr | semi- |
| Série | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Estatuto do produto | Obsoletos |
| Tipo de transistor | PNP - Preconceito |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 100 mA |
| Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) | 50 V |
| Resistência - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistência - Base do emissor (R2) | 47 kOhms |
| Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250 mV @ 300 μA, 10 mA |
| Corrente - limite do colector (máximo) | 500nA |
| Potência - Máximo | 202 mW |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | SC-70, SOT-323 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-70-3 (SOT323) |
| Número do produto de base | SMUN5113 |
Características do SMUN5113T1G
• Simplifica a concepção de circuitos
• Reduz o espaço no quadro
• Reduz o número de componentes
• Prefixo S e NSV para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, de Halógenos/BFR e estão em conformidade com a RoHS
Aplicações de SMUN5113T1G
Esta série de transistores digitais é projetada para substituir um único dispositivo e sua rede de bias de resistência externa.
Ambiental &Classificações de exportação de SMUN5113T1G
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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