• TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP
TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP

TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: TPH8R008NH,L1Q

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
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Informação detalhada

Tipo de FET: N-canal Tecnologia: MOSFET (óxido de metal)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 80 V Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

Descrição de produto

TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP
 
Especificações deTPH8R008NH,L1Q

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Série U-MOSVIII-H
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 80 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 40 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOP Avanço (5x5)
Embalagem / Caixa 8-PowerVDFN
Número do produto de base TPH8R008

 

Características do TPH8R008NH,L1Q


(1) Embalagem pequena e fina
(2) Comutação de alta velocidade
(3) Pequena carga de porta: QSW = 13 nC (tipo.)
(4) Resistência de ligação de fonte de baixo escoamento: RDS ((ON) = 6,6 mΩ (tipo) (VGS = 10 V)
(5) Corrente de baixa fuga: IDSS = 10 μA (máximo) (VDS = 80 V)
(6) Modo de reforço: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

 

 

Aplicações de TPH8R008NH,L1Q


• Conversores CC-DC
• Interrupção dos reguladores de tensão
• Motoristas

 


Classificações ambientais e de exportação deTPH8R008NH,L1Q

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Compatível com a RoHS
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP 0 

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