TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | Origem |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | TPH8R008NH,L1Q |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
Tempo de entrega: | 3-5 dias |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 1000 |
Informação detalhada |
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Tipo de FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 80 V | Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 34A (Tc) |
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 500µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 35 nC @ 10 V |
Descrição de produto
TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Montado na superfície 8-SOP
Especificações deTPH8R008NH,L1Q
TÍPO | Descrição |
Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
Transistores | |
FET, MOSFET | |
FETs únicos, MOSFETs | |
Mfr | Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
Série | U-MOSVIII-H |
Pacote | Tape & Reel (TR) |
Faixa de corte (TC) | |
Tipo de FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 80 V |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500μA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ± 20V |
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 40 V |
Característica FET | - |
Dissipação de energia (máximo) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP Avanço (5x5) |
Embalagem / Caixa | 8-PowerVDFN |
Número do produto de base | TPH8R008 |
Características do TPH8R008NH,L1Q
(1) Embalagem pequena e fina
(2) Comutação de alta velocidade
(3) Pequena carga de porta: QSW = 13 nC (tipo.)
(4) Resistência de ligação de fonte de baixo escoamento: RDS ((ON) = 6,6 mΩ (tipo) (VGS = 10 V)
(5) Corrente de baixa fuga: IDSS = 10 μA (máximo) (VDS = 80 V)
(6) Modo de reforço: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Aplicações de TPH8R008NH,L1Q
• Conversores CC-DC
• Interrupção dos reguladores de tensão
• Motoristas
Classificações ambientais e de exportação deTPH8R008NH,L1Q
Atributo | Descrição |
Estatuto da RoHS | Compatível com a RoHS |
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estatuto REACH | REACH Não afectado |
Nomenclatura | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |