TS5A23157DGSR 2 Circuito Circuito Integrado Chip IC Switch 2:1 10Ohm 10-VSSOP
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | Origem |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | TS5A23157DGSR |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
Tempo de entrega: | 3-5 dias |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 1000 |
Informação detalhada |
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Circuito do interruptor: | SPDT | Circuito Multiplexador/Desmultiplexador: | 2:01 |
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Número de circuitos: | 2 | Resistência do Em-estado (máxima): | 10Ohm |
Harmonização do Canal-à-canal (Δ Ron): | 150mOhm | Tensão - fonte, única (V+): | 1,65V ~ 5,5V |
Tempo do interruptor (tonelada, ricalhaço) (máximos): | 5.7ns, 3.8ns | -3db de largura de banda: | 220MHz |
Injeção da carga: | 7pC |
Descrição de produto
TS5A23157DGSR 2 Circuito Circuito Integrado Chip IC Switch 2:1 10Ohm 10-VSSOP
Especificações de TS5A23157DGSR
TÍPO | Descrição |
Categoria | Circuitos integrados (CI) |
Interface | |
Comutadores analógicos, multiplexadores, desmultiplexadores | |
Mfr | Texas Instruments |
Série | - |
Pacote | Tape & Reel (TR) |
Faixa de corte (TC) | |
Estatuto do produto | Atividade |
Circuito de comutação | A SPDT |
Circuito multiplexador/demultiplexador | 2:01 |
Número de circuitos | 2 |
Resistência no estado (máximo) | 10 Ohms |
Aplicação de sistemas de correlação entre canais (ΔRon) | 150 mOhm |
Voltagem - Fornecimento, único (V+) | 1.65V ~ 5.5V |
Voltagem - Alimentação, dupla (V±) | - |
Tempo de comutação (toneladas, toques) (máximo) | 5.7ns, 3.8ns |
-3dB de largura de banda | 220 MHz |
Injecção de carga | 7pC |
Capacidade do canal (CS (desligado), CD (desligado)) | 5.5pF |
Corrente - vazamento (IS(desligado)) (máximo) | 1 μA |
Transmissão | -66 dB @ 10MHz |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 10-VSSOP |
Número do produto de base | TS5A23157 |
Características doTS5A23157DGSR
• Baixa resistência ao estado ON (15 Ω a 125°C)
• Função a 125°C
• As entradas de controlo são tolerantes a 5 V
• Interrupção especificada antes da fabricação
• Injecção de baixa carga
• Excelente correspondência de resistência de ligação
• Baixa distorção harmônica total
• Função de alimentação única de 1,8 V a 5,5 V
• Desempenho de bloqueio superior a 100 mA por JESD 78, classe II
• Performance ESD testada por JESD 22
Modelo do corpo humano 2000-V (A114-B, classe II)
O modelo do dispositivo carregado de 1000 V (C101)
Aplicações deTS5A23157DGSR
• Circuitos de amostragem e retenção
• Equipamentos movidos a bateria
• Roteamento de sinais de áudio e vídeo
• Circuitos de comunicação
Classificações ambientais e de exportação deTS5A23157DGSR
Atributo | Descrição |
Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estatuto REACH | REACH Não afectado |
Nomenclatura | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |