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FDV301N N-Channel 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Montador de superfície SOT-23-3
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | FDV301N |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 25 V | 25 V: | 220mA (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 2.7V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohms @ 400 mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.06V @ 250μA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 0,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo): | ±8V | ||
Descrição de produto
FDV301N N-Channel 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Montador de superfície SOT-23-3
Especificações de FDV301N
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | semi- |
| Série | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 25 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 220 mA (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohms @ 400 mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.06V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 00,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo) | ± 8V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5 pF @ 10 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 350 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 |
| Embalagem / Caixa | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número do produto de base | FDV301 |
Características doFDV301N
• 25 V, 0,22 A contínuo, 0,5 A pico
* RDS ((on) = 5 @ VGS = 2,7 V
* RDS ((on) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Requisitos de accionamento de portão de nível muito baixo que permitam a operação direta em circuitos de 3 V. VGS ((th) < 1,06 V
• Gate-Source Zener para robustez ESD. > 6 kV Modelo do corpo humano
• Substitua vários transistores digitais NPN por um FET DMOS
• Este dispositivo é livre de Pb− e livre de halogenetos
Aplicações deFDV301N
Este transistor de efeito de campo de modo de aumento de nível lógico de N-Channel é produzido usando a tecnologia DMOS proprietária da onsemi, de alta densidade celular.
Classificações ambientais e de exportação deFDV301N
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
