• STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) através do buraco TO-220
STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) através do buraco TO-220

STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) através do buraco TO-220

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: STP11N60DM2

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 600 V Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Vgs (máximo): ±25V Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 614 pF @ 100 V

Descrição de produto

STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) através do buraco TO-220
 
Especificações deSTP11N60DM2
 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr STMicroelectrónica
Série MDmeshTM DM2
Pacote Tubos
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 600 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 25V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 614 pF @ 100 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 110 W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Através do Buraco
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220
Embalagem / Caixa TO-220-3
Número do produto de base STP11

 
 
Características do
STP11N60DM2


• Diodo corporal de recuperação rápida
• Carga extremamente baixa do portão e capacidade de entrada
• Baixa resistência
• 100% de testes de avalanche
• Extremamente elevada robustez
• Protegido por Zener
 
Aplicações de
STP11N60DM2

 

• Troca de aplicações


Classificações ambientais e de exportação deSTP11N60DM2
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) através do buraco TO-220 0

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