• O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.
O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.

O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: SSM6J414TU, LF

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
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Informação detalhada

Tipo de FET: P-canal Tecnologia: MOSFET (óxido de metal)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 20 V Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 1,5 V, 4,5 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 23.1 nC @ 4,5 V

Descrição de produto

O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.
 
Especificações deSSM6J414TU, LF
 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Série U-MOSVI
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Estatuto do produto Atividade
Tipo de FET Canal P
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 20 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 23.1 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ± 8V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 10 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor UF6
Embalagem / Caixa 6-SMD, de condução plana
Número do produto de base SSM6J414

 
 
Características doSSM6J414TU, LF


(1) Tensão de accionamento de porta de 1,5 V.
(2) Resistência de descarga da fonte de baixo drenagem:

RDS ((ON) = 54 mΩ (max) (@VGS = -1,5 V)
RDS ((ON) = 36 mΩ (max) (@VGS = -1,8 V)
RDS ((ON) = 26 mΩ (max) (@VGS = -2,5 V)
RDS ((ON) = 22,5 mΩ (max) (@VGS = -4,5 V)

 

 


Aplicações deSSM6J414TU, LF


• Interruptores de gestão de energia

 


Classificações ambientais e de exportação deSSM6J414TU, LF

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio. 0

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