O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | Origem |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | SSM6J414TU, LF |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
Tempo de entrega: | 3-5 dias |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 1000 |
Informação detalhada |
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Tipo de FET: | P-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 20 V | Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 6A (Ta) |
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 1,5 V, 4,5 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22.5mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 23.1 nC @ 4,5 V |
Descrição de produto
O UF6 não pode ser transportado para fora da zona de ensaio, mas deve ser transportado para fora da zona de ensaio.
Especificações deSSM6J414TU, LF
TÍPO | Descrição |
Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
Transistores | |
FET, MOSFET | |
FETs únicos, MOSFETs | |
Mfr | Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
Série | U-MOSVI |
Pacote | Tape & Reel (TR) |
Faixa de corte (TC) | |
Estatuto do produto | Atividade |
Tipo de FET | Canal P |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 20 V |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 23.1 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo) | ± 8V |
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 10 V |
Característica FET | - |
Dissipação de energia (máximo) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | UF6 |
Embalagem / Caixa | 6-SMD, de condução plana |
Número do produto de base | SSM6J414 |
Características doSSM6J414TU, LF
(1) Tensão de accionamento de porta de 1,5 V.
(2) Resistência de descarga da fonte de baixo drenagem:
RDS ((ON) = 54 mΩ (max) (@VGS = -1,5 V)
RDS ((ON) = 36 mΩ (max) (@VGS = -1,8 V)
RDS ((ON) = 26 mΩ (max) (@VGS = -2,5 V)
RDS ((ON) = 22,5 mΩ (max) (@VGS = -4,5 V)
Aplicações deSSM6J414TU, LF
• Interruptores de gestão de energia
Classificações ambientais e de exportação deSSM6J414TU, LF
Atributo | Descrição |
Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Nomenclatura | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |