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SIA427DJ-T1-GE3 P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | SIA427DJ-T1-GE3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) | Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 8 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 12A (Tc) | Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 8,2A, 4,5 V | Vgs(th) (Max) @ Id: | 800 mV @ 250 μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 50 nC @ 5 V | Vgs (máximo): | ± 5V |
Descrição de produto
SIA427DJ-T1-GE3 Chip de circuito integrado P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Especificações deSIA427DJ-T1-GE3
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 8 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8,2A, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800 mV @ 250 μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 50 nC @ 5 V |
| Vgs (máximo) | ± 5V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 |
| Embalagem / Caixa | PowerPAK® SC-70-6 |
| Número do produto de base | SIA427 |
Características doSIA427DJ-T1-GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Novo pacote PowerPAK® SC-70 com reforço térmico
- Pequena área de pegada
- Baixa resistência
• 100% Rg Testado
Aplicações deSIA427DJ-T1-GE3
• Interruptor de carga, para linha de alimentação de 1,2 V para dispositivos portáteis e portáteis
Classificações ambientais e de exportação deSIA427DJ-T1-GE3
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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