• HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montador de superfície LFPAK
HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montador de superfície LFPAK

HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montador de superfície LFPAK

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: HAT1072H-EL-E

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo do FET: Núcleo do tambor, Wirewound Material - núcleo: Ferrite
Indutividade: 60,8 μH Tolerância: ± 20%
Avaliação atual (ampères): 0.083333333 Proteção: Unshielded
Resistência da C.C. (RCI): 103.6mOhm Max. Frequência - auto ressonante: 25MHz
Realçar:

HAT1072H-EL-E

,

HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P

Descrição de produto

HAT1072H-EL-E P-Channel 30 V 40A (Ta) 30W (Tc) Montador de superfície LFPAK
 
Especificações deHAT1072H-EL-E

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr Renesas Electronics America Inc.
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
Estatuto do produto Atividade
Tipo de FET Canal P
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 30 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Vgs (máximo) +10V, -20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 10 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 30 W (Tc)
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor LFPAK
Embalagem / Caixa SC-100, SOT-669
Número do produto de base HAT1072

 

 

Características doHAT1072H-EL-E


• Capaz de accionamento de portão de 4,5 V
• Baixa corrente de accionamento
• Instalação de alta densidade
• RDS de baixa resistência (acendido) = 3,6 mΩ typ (a VGS = 10 V)

 


Classificações ambientais e de exportação deHAT1072H-EL-E
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montador de superfície LFPAK 0

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