FDB8444-F085 N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | originais |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | FDB8444-F085 |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
Tempo de entrega: | 3-5 dias |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 1000 |
Informação detalhada |
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Tipo do FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
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Drene à tensão da fonte (Vdss): | 40 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: | 70A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 10 V | RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 128 nC @ 10 V |
Descrição de produto
FDB8444-F085 N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)
Especificações deFDB8444-F085
TÍPO | Descrição |
Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
Transistores | |
FET, MOSFET | |
FETs únicos, MOSFETs | |
Mfr | semi- |
Série | Automóveis, AEC-Q101, PowerTrench® |
Pacote | Tape & Reel (TR) |
Faixa de corte (TC) | |
Estatuto do produto | Obsoletos |
Tipo de FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 40 V |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ± 20V |
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8035 pF @ 25 V |
Característica FET | - |
Dissipação de energia (máximo) | 167 W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK (TO-263) |
Embalagem / Caixa | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Número do produto de base | FDB844 |
Características doFDB8444-F085
*tipo rDS(on) = 3,9mΩ a VGS = 10V, ID = 70A
* Tipo Qg(TOT) = 91nC a VGS = 10V
* Baixa Carga Miller
* Diodo de corpo de baixo Qrr
*Capacidade do SII (pulso único e pulso repetitivo)
*Cualificado em conformidade com a norma AEC Q101
* Conforme à RoHS
Aplicações deFDB8444-F085
* Controle de motores automotivos
* Gestão do sistema de propulsão
* Motoristas e condutores de solenoides
* Transmissão electrónica
* Arquitetura de Potência Distribuída e VRMs
* Comutador primário para sistemas de 12 V
Classificações ambientais e de exportação deFDB8444-F085
Atributo | Descrição |
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estatuto REACH | REACH Não afectado |
Nomenclatura | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |