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EMD4DXV6T1G Transistor bipolar pré-biasado 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | EMD4DXV6T1G |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Atual - coletor (CI) (máximo): | 100 mA | Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): | 50 V |
|---|---|---|---|
| Resistor - base (R1): | 47 kOhms, 10 kOhms | Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: | 250 mV @ 300 μA, 10 mA | Atual - interrupção do coletor (máxima): | 500nA |
| Poder - máximo: | 500 MW | Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Descrição de produto
EMD4DXV6T1G Transistor bipolar pré-biasado 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
Especificações deEMD4DXV6T1G
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| Bipolar (BJT) | |
| Arrays de transistores bipolares, pré-biasados | |
| Mfr | semi- |
| Série | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pré-biased (dual) |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 100 mA |
| Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) | 50 V |
| Resistência - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Resistência - Base do emissor (R2) | 47 kOhms |
| Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250 mV @ 300 μA, 10 mA |
| Corrente - limite do colector (máximo) | 500nA |
| Frequência - Transição | - |
| Potência - Máximo | 500 mW |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-563 |
| Número do produto de base | EMD4DXV6 |
Características doEMD4DXV6T1G
• Simplifica a concepção de circuitos
• Reduz o espaço no quadro
• Reduz o número de componentes
• Prefixo NSV para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
• Dispositivos livres de Pb
Aplicações deEMD4DXV6T1G
O BRT (Bias Resistor Transistor) contém um único transistor com uma rede de bias monolítica composta por dois resistores; um resistor base em série e um resistor base-emissor.
Classificações ambientais e de exportação deEMD4DXV6T1G
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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