• MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN 40 V 600 MA 300MHz 225 MW
MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN 40 V 600 MA 300MHz 225 MW

MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN 40 V 600 MA 300MHz 225 MW

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: MMBT2222ALT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
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Tempo de entrega: 3-5 dias
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Habilidade da fonte: 1000
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Informação detalhada

Atual - coletor (CI) (máximo): 600 miliampères Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 40 V
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 1V @ 50mA, 500mA Atual - interrupção do coletor (máxima): 10nA (ICBO)
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 100 @ 150mA, 10V Poder - máximo: 225 mW
Frequência - transição: 300MHz Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Realçar:

MMBT2222ALT1G

,

Transistor bipolar de 40 V 600 mA NPN

,

MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN

Descrição de produto

MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW
 
TRANS NPN 40V 0,6A SOT23-3
 
Especificações deMMBT2222ALT1G

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série Automóveis, AEC-Q101
Pacote Tape & Reel (TR)
Tipo de transistor NPN
Corrente - colector (Ic) (máximo) 600 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 40 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Corrente - limite do colector (máximo) 10nA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Potência - Máximo 225 mW
Frequência - Transição 300 MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto de base MMBT2222

 

 

Características doMMBT2222ALT1G


• Estes Dispositivos são livres de Pb−, de Halógenos/BFR e estão em conformidade com a RoHS
• Prefixo S para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo;

AEC-Q101 Qualificado e capaz de PPAP

 

 

 

Descrições deMMBT2222ALT1G


1. FR-5 = 1,0 0,75 0,062 polegadas.
2Alumina = 0,4 0,3 0,024 polegadas 99,5% de alumina.
3. Curva SOA de referência.

 

 


Classificações ambientais e de exportação deMMBT2222ALT1G

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

MMBT2222ALT1G Transistor bipolar NPN 40 V 600 MA 300MHz 225 MW 0

 

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