• Microplaqueta 1.8GHz do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7
Microplaqueta 1.8GHz do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7

Microplaqueta 1.8GHz do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: HEF4013BTT, 118

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Frequência: 1.8GHz ~ 2.2GHz Ganho: 14.4dB
Figura de ruído: 0.85dB Tensão - fonte: 1.5V ~ 3.1V
Atual - fonte: 5.8mA Frequência do teste: 2.2GHz
Realçar:

Microplaqueta do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF

,

microplaqueta do circuito integrado 2.2GHz

Descrição de produto

Microplaqueta 1.8GHz do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF ~ 2.2GHz 6-XSON (1.1x0.7)

 

BGS8M2 IC RF AMPÈRE 1.8GHZ-2.2GHZ 6XSON

 

Especificações de BGS8M2/BGS8M2X

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria RF e rádio
Amplificadores do RF
Série -
Pacote Fita & carretel (TR)
Corte a fita (os CT)
Estado do produto Ativo
Frequência 1.8GHz ~ 2.2GHz
P1dB -
Ganho 14.4dB
Figura de ruído 0.85dB
Tipo do RF -
Tensão - fonte 1.5V ~ 3.1V
Atual - fonte 5.8mA
Frequência do teste 2.2GHz
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-XFDFN
Pacote do dispositivo do fornecedor 6-XSON (1.1x0.7)
Número baixo do produto BGS8M2

 
Características de BGS8M2/BGS8M2X


• Frequência de funcionamento desde 1805 megahertz a 2200 megahertz
• Figura de ruído = 0,85 DB
• DB 14,4 do ganho
• A elevação entrou 1 ponto da compressão do DB do dBm -3,5
• Perda de inserção do interruptor de desvio de DB 2,2
• Elevação na faixa IP3i do dBm 3,5
• Tensão de fonte 1,5 V a 3,1 V
• Auto-protegendo o conceito do pacote
• Fonte integrada que decupla o capacitor
• Desempenho aperfeiçoado em uma corrente da fonte de 5,8 miliampères
• Consumo atual do modo do poder-para baixo < 1=""> • A temperatura integrada estabilizou a polarização para o projeto fácil
• Exija somente um indutor de harmonização da entrada
• A C.C. da entrada e da saída decuplou
• Proteção do ESD em todos os pinos (HBM > 2 quilovolts)
• Integrated que combina para a saída
• Disponível no pacote sem chumbo 1,1 milímetro x de 6 pinos 0,7 milímetros x 0,37 milímetros; passo de 0,4 milímetros: SOT1232
• 180 gigahertz da frequência do trânsito - SiGe: Tecnologia de C
• Nível 1 da sensibilidade de umidade

 

 

Aplicações de BGS8M2/BGS8M2X


• LNA para a recepção de LTE em telefones espertos
• Telefones da característica
• PCes da tabuleta
• Módulos da parte frontal do RF

 

 

Classificações ambientais & da exportação de BGS8M2/BGS8M2X

 

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

 

Microplaqueta 1.8GHz do circuito integrado do amplificador de BGS8M2 RF ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 0

 


 

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