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IS61WV5128EDBLL-10BLI IC eletrônico lasca a PARALELA 36TFBGA de IC Sram 4MBIT
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | IS61WV5128EDBLL-10BLI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página: | 10ns | Tempo de acesso: | 10 ns |
|---|---|---|---|
| Tensão - fonte: | 2.4V ~ 3.6V | Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montando o tipo: | Montagem de superfície | Pacote/caso: | 36-TFBGA |
| Pacote do dispositivo do fornecedor: | 36-TFBGA (6x8) | Número baixo do produto: | IS61WV5128 |
| Realçar: | IS61WV5128EDBLL-10BLI,PARALELA 36TFBGA de IC Sram 4MBIT,IS61WV5128EDBLL-10BLI IC Sram |
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Descrição de produto
Módulo sem fio CI Sram 4mbit 36tfbga paralelo de IS61WV5128EDBLL-10BLI Rf
Módulo sem fio CI Sram 4mbit 36tfbga paralelo de IS61WV5128EDBLL-10BLI Rf
SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit 10 paralelos ns 36-TFBGA (6x8)
Especificações de IS61WV5128EDBLL-10BLI
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | ISSI, solução integrada Inc do silicone |
| Série | - |
| Pacote | Bandeja |
| Estado do produto | Ativo |
| Digi-chave programável | Não verificado |
| Tipo da memória | Temporário |
| Formato da memória | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Assíncrono |
| Tamanho de memória | 4Mbit |
| Organização da memória | 512K x 8 |
| Relação da memória | Paralelo |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 10ns |
| Tempo de acesso | 10 ns |
| Tensão - fonte | 2.4V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 36-TFBGA |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 36-TFBGA (6x8) |
| Número baixo do produto | IS61WV5128 |
Características de IS61WV5128EDBLL-10BLI
• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10 ns
• Baixo Ative Power: 85 mW (típicos)
• Baixo poder à espera: apoio de 7 mW CMOS (típico)
• Única fonte de alimentação
— Vdd 2.4V a 3.6V (10 ns)
— ± 10% de Vdd 3.3V (8 ns)
• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido
• Três saídas do estado
• Apoio industrial e automotivo da temperatura
• Disponível sem chumbo
• Detecção de erro e de correção de erros
Aplicações de IS61WV5128EDBLL-10BLI
O ISSI IS61/64WV5128EDBLL é umas de alta velocidade, ram 4,194,304-bit estáticas organizadas como 524.288 palavras por 8 bocados. É fabricado usando a tecnologia alta-performanceCMOS de ISSI. Este processo altamente confiável acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, rende de capacidade elevada
e dispositivos do consumo da baixa potência.
Quando o CE for ALTAMENTE (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que o canbe da dissipação de poder se reduziu para baixo com níveis de entrada do CMOS. A expansão de memória fácil é fornecida usando o ChipEnable e a saída permite entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite (NÓS) controla a escrita e a leitura da memória. O IS61/64WV5128EDBLL é empacotado no JEDEC 44-pinTSOP-II padrão, SOJ de 36 pinos e 36 pino mini BGA (6mm x 8mm).
Classificações ambientais & da exportação de IS61WV5128EDBLL-10BLI
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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