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M95512-WMN6TP Tvs Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | M95512-WMN6TP |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Estado do produto: | Ativo | Digi-chave programável: | Verificado |
|---|---|---|---|
| Tipo da memória: | Permanente | Formato da memória: | EEPROM |
| Tecnologia: | EEPROM | Tamanho de memória: | 512Kbit |
| Organização da memória: | 64K x 8 | Relação da memória: | SPI |
Descrição de produto
M95512-WMN6TP Tvs Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Memória EEPROM IC 512 Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC
Especificações deM95512-WMN6TP
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos Integrados (CIs) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | STMicroeletrônica |
| Series | - |
| Pacote | Fita e Carretel (TR) |
| Fita Cortada (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Status do produto | Ativo |
| Digi-Key programável | Verificado |
| Tipo de memória | Não volátil |
| Formato de memória | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Tamanho da memória | 512 Kbits |
| organização da memória | 64K x 8 |
| Interface de Memória | SPI |
| Frequência do Relógio | 16 MHz |
| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página | 5ms |
| Tensão - Fornecimento | 2,5V ~ 5,5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC |
| Número do produto base | M95512 |
Características deM95512-WMN6TP
• Compatível com o barramento de interface periférica serial (SPI)
• matriz de memória
– 512 Kbits (64 Kbytes) de EEPROM
– Tamanho da página: 128 bytes
– Página adicional bloqueável para gravação (página de identificação)
• Tempo de gravação
- Byte Write dentro de 5 ms
– Gravação de página em 5 ms
• Proteção contra gravação
- matriz de trimestre
– meia matriz
– matriz de memória inteira
• Relógio de alta velocidade: 16 MHz
• Tensão de alimentação única:
– 2,5 V a 5,5 V para M95512-W
– 1,8 V a 5,5 V para M95512-R
– 1,7 V a 5,5 V para M95512-DF
• Faixa de temperatura operacional: de -40 °C até +85 °C
• Proteção ESD aprimorada
• Mais de 4 milhões de ciclos de gravação
• Mais de 200 anos de retenção de dados
• Pacotes
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
– WLCSP8 (ECOPACK2)
Desligar deM95512-WMN6TP
Durante o desligamento (diminuição contínua da tensão de alimentação VCC abaixo do valor mínimo VCCtensão operacionaldefinido na Seção 9 Parâmetros DC e AC), o dispositivo deve ser:
• desmarcado (Chip select S deve ter permissão para seguir a tensão aplicada no VCC)
• no modo de energia Standby (não deve haver nenhum ciclo de gravação interno em andamento)
Classificações Ambientais e de Exportação deM95512-WMN6TP
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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