 |
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | Is43dr16640b-25dbli-Tr |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
|
Informação detalhada |
|||
| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página: | 15ns | Tempo de acesso: | 400 picosegundos |
|---|---|---|---|
| Tensão - fonte: | 1.7V ~ 1.9V | Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montando o tipo: | Montagem de superfície | Pacote/caso: | 84-TFBGA |
| Pacote do dispositivo do fornecedor: | 84-TWBGA (8x12.5) | Número baixo do produto: | IS43DR16640 |
| Realçar: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1GB PARALELO 84TWBGA,DRAM IC 1GB PARALELO 84TWBGA |
||
Descrição de produto
Is25lp040e-Jnle-Tr Módulo RF sem fio Ic Flash 4mbit Spi/Quad 8soic
Módulo Is43dr16640b-25dbli-Tr Wireless Rf Ic Dram 1gbit Paralelo 84twbga
SDRAM - Memória DDR2 IC 1 Gbit Paralelo 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12,5)
Especificações de Is43dr16640b-25dbli-Tr
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos Integrados (CIs) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | ISSI, Solução Integrada de Silício Inc. |
| Series | - |
| Pacote | Fita e Carretel (TR) |
| Status do produto | Não para novos designs |
| Digi-Key programável | Não verificado |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Tamanho da memória | 1 Gbit |
| organização da memória | 64M x 16 |
| Interface de Memória | Paralelo |
| Frequência do Relógio | 400 MHz |
| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página | 15 ns |
| Tempo de acesso | 400 ps |
| Tensão - Fornecimento | 1,7V ~ 1,9V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote / Estojo | 84-TFBGA |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 84-TWBGA (8x12,5) |
| Número do produto base | IS43DR16640 |
Características deIs43dr16640b-25dbli-Tr
Frequência de clock de até 400MHz
8 bancos internos para operação simultânea
Arquitetura de pré-busca de 4 bits
Latência CAS programável: 3, 4, 5, 6 e 7
Latência Aditiva Programável: 0, 1, 2, 3, 4,5e 6
Latência de gravação = Latência de leitura-1
Sequência de Burst Programável: Sequencial ouintercalar
Comprimento de rajada programável: 4 e 8
Comando de pré-carga automática e controlada
Modo de desligamento
Atualização automática e atualização automática
Intervalo de atualização: 7,8 s (8192 ciclos/64 ms)
ODT (On-Die Termination)
Opção de driver de saída de dados de força fraca
Estroboscópio de dados diferencial bidirecional(Singleended data-strobe é um recurso opcional)
On-Chip DLL alinha as transições DQ e DQscomtransições CK
DQS# pode ser desabilitado para dados single-endedestroboscópio
Read Data Strobe suportado (x8 apenas)
Entradas de clock diferencial CK e CK#
VDD e VDDQ = 1,8V ± 0,1V
PASR (Parcial Array Self Refresh)
FormuláriosdeIs43dr16640b-25dbli-Tr
Interface SSTL_18
Bloqueio tRAS suportado
Temperatura de operação:Comercial (TA = 0°C a 70°C; TC = 0°C a85°C)Industrial (TA = -40°C a 85°C; TC = -40°Ca 95°C)Automotivo, A1 (TA = -40°C a 85°C; TC = -40°C a 95 °C)Automotivo, A2 (TA = -40°C a 105°C; TC = -40°C a105°C)
Classificações Ambientais e de Exportação deIs43dr16640b-25dbli-Tr
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
Deseja saber mais detalhes sobre este produto