Ipd60r1k0ceauma1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | original |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | IPD60R1K0CEAUMA1 |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
Tempo de entrega: | dias 1-3working |
Termos de pagamento: | T/T, L/C |
Habilidade da fonte: | 100.000 |
Informação detalhada |
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 3170 PF @ 25 V | Característica do FET: | - |
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Dissipação de poder (máxima): | 94W (Tc) | Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo: | Montagem de superfície | Pacote do dispositivo do fornecedor: | PG-TO252-3-313 |
Pacote/caso: | TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 | Número baixo do produto: | IPD60N10 |
Descrição de produto
MÓDULO DE RF SEM FIO IPD60N10S4L-12 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Canal N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-313
Especificações deIPD60R1K0CEAUMA1
TIPO | DESCRIÇÃO |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Transistores | |
FETs, MOSFETs | |
FETs simples, MOSFETs | |
Mfr | Tecnologias Infineon |
Series | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® |
Pacote | Fita e Carretel (TR) |
Fita Cortada (CT) | |
Digi-Reel® | |
Status do produto | Ativo |
Tipo FET | Canal N |
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,1V @ 46µA |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Vgs (Máx.) | ±16V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3170 pF @ 25 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 94W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-313 |
Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 |
Número do produto base | IPD60N10 |
Características deIPD60R1K0CEAUMA1
• Canal N - modo de aprimoramento
• AEC qualificado
• MSL1 até refluxo de pico de 260°C
• Temperatura operacional de 175°C
• Produto Verde (compatível com RoHS)
• 100% testado em Avalanche
FormuláriosdeIPD60R1K0CEAUMA1
Para mais informações sobre tecnologia, entregatermos e condições e preços, entre em contatoo escritório da Infineon Technologies mais próximo (www.
infineon.com).
Classificações Ambientais e de Exportação deIPD60R1K0CEAUMA1
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estado REACH | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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