• Ipd60r1k0ceauma1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Ipd60r1k0ceauma1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Ipd60r1k0ceauma1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: IPD60R1K0CEAUMA1

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T, L/C
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 3170 PF @ 25 V Característica do FET: -
Dissipação de poder (máxima): 94W (Tc) Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo: Montagem de superfície Pacote do dispositivo do fornecedor: PG-TO252-3-313
Pacote/caso: TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 Número baixo do produto: IPD60N10

Descrição de produto

MÓDULO DE RF SEM FIO IPD60N10S4L-12 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

 

Canal N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-313

 

Especificações deIPD60R1K0CEAUMA1

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos semicondutores discretos
Transistores
FETs, MOSFETs
FETs simples, MOSFETs
Mfr Tecnologias Infineon
Series Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®
Pacote Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reel®
Status do produto Ativo
Tipo FET Canal N
Tecnologia MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) 100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,1V @ 46µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 94W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO252-3-313
Pacote / Estojo TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Número do produto base IPD60N10

 

Características deIPD60R1K0CEAUMA1

 

• Canal N - modo de aprimoramento
• AEC qualificado
• MSL1 até refluxo de pico de 260°C
• Temperatura operacional de 175°C
• Produto Verde (compatível com RoHS)
• 100% testado em Avalanche
 

FormuláriosdeIPD60R1K0CEAUMA1

 

Para mais informações sobre tecnologia, entregatermos e condições e preços, entre em contatoo escritório da Infineon Technologies mais próximo (www.
infineon.com).
 

Classificações Ambientais e de Exportação deIPD60R1K0CEAUMA1

 

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Ipd60r1k0ceauma1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 0

 

 

 

 



 

 

 

 

 

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