• BSC900N20NS3GATMA1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
BSC900N20NS3GATMA1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

BSC900N20NS3GATMA1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: BSC900N20NS3GATMA1

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T, L/C
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Estado do produto: Ativo Tipo do FET: N-Channelxer
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Drene à tensão da fonte (Vdss): 200 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 15.2A (Tc) Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 4V @ 30µA

Descrição de produto

BSC900N20NS3GATMA1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
 

Canal N 200 V 15,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-5

 

Especificações deBSC900N20NS3GATMA1

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos semicondutores discretos
Transistores
FETs, MOSFETs
FETs simples, MOSFETs
Mfr Tecnologias Infineon
Series OptiMOS™
Pacote Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reel®
Status do produto Ativo
Tipo FET Canal N
Tecnologia MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) 200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 15,2A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11,6 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 62,5 W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TDSON-8-5
Pacote / Estojo 8-PowerTDFN
Número do produto base BSC900

 

Características deBSC900N20NS3GATMA1

 

• Otimizado para conversão DC-DC
• Canal N, nível normal
• Excelente carga de portão x produto R DS(on) (FOM)
• R DS(ligado) de baixa resistência
• 150 °C de temperatura operacional
• Revestimento de chumbo livre de Pb;Compatível com RoHS
• Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicação de destino
• Livre de halogênio de acordo com IEC61249-2-21

 

Informações deBSC900N20NS3GATMA1

 

Para obter mais informações sobre tecnologia, termos e condições de entrega e preços, entre em contato com o escritório da Infineon Technologies mais próximo (www.infineon.com).

 

Classificações Ambientais e de Exportação deBSC900N20NS3GATMA1

 

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3GATMA1 Módulo de Rf sem fio Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 0



 

 

 

 

 

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