• F450R07W1H3B11ABOMA1 Módulos Igbt de chip IC de circuito integrado 650V
F450R07W1H3B11ABOMA1 Módulos Igbt de chip IC de circuito integrado 650V

F450R07W1H3B11ABOMA1 Módulos Igbt de chip IC de circuito integrado 650V

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: F450R07W1H3B11ABOMA1

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T, L/C
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Mfr: Infineon Technologies Série: EasyPACK™
Pacote: Bandeja Estado do produto: Ativo
Tipo IGBT: Parada de campo de trincheira Configuração: Inversor completo da ponte
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 650V Atual - coletor (CI) (máximo): 55 A
Realçar:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

Módulos Igbt de Chip IC

,

Chip IC de Circuito Integrado 650V

Descrição de produto

F450R07W1H3B11ABOMA1 Módulos Igbt de chip IC de circuito integrado

 

Módulo IGBT Parada em campo de trincheira Ponte completa Inversor 650 V 55 A 200 W Módulo de montagem em chassi

 

Especificações de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Mfr Tecnologias Infineon
Series EasyPACK™
Pacote Bandeja
Status do produto Ativo
Tipo IGBT Parada de campo de trincheira
Configuração Inversor de ponte completa
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) 650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 55 A
Potência - Máx. 200 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,85 V @ 15 V, 25 A
Corrente - Corte do Coletor (Máx) 50 µA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 3,25 nF @ 25 V
Entrada Padrão
Termistor NTC Sim
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem do chassi
Pacote / Estojo Módulo
Pacote de dispositivos do fornecedor Módulo
Número do produto base F450R07

 

Características deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Maior capacidade de tensão de bloqueio para 650V
• IGBT H3 de alta velocidade
• Projeto indutivo baixo
• Baixas perdas de comutação
• Baixo VCEsat
• Isolamento de 2,5 kV AC 1min
• Altas distâncias de escoamento e folga
• Tecnologia de contato PressFIT
• Compatível com RoHS
• Montagem robusta devido à montagem integrada
braçadeiras

 

Aplicações deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Aplicações automotivas
• Aplicação de comutação de alta frequência
• Conversor CC/CC
• Inversores Auxiliares
• Veículos Elétricos Híbridos (H)EV
• Aquecimento Indutivo e Soldagem
 

Classificações Ambientais e de Exportação deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

F450R07W1H3B11ABOMA1 Módulos Igbt de chip IC de circuito integrado 650V 0



 

 

 

 

 

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