• MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado CI Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B
MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado CI Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado CI Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: MT47H16M16BG-3IT: B

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
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Informação detalhada

Pacote: Fita & carretel (TR) Estado do produto: Obsoleto
Tipo da memória: Temporário Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2 Tamanho de memória: 256Mbit
Organização da memória: 16M x 16 Relação da memória: Paralelo

Descrição de produto

MT47H16M16BG-3IT: Transistor CI Chip Ic Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

 

SDRAM - DDR2 a memória IC 256Mbit paraleliza 333 megahertz 450 picosegundos 84-FBGA (8x14)

 

Especificações de MT47H16M16BG-3IT: B

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Mfr Micron Technology Inc.
Série -
Pacote Fita & carretel (TR)
Estado do produto Obsoleto
Tipo da memória Temporário
Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tamanho de memória 256Mbit
Organização da memória 16M x 16
Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 333 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 450 picosegundos
Tensão - fonte 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 95°C (TC)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 84-FBGA
Pacote do dispositivo do fornecedor 84-FBGA (8x14)
Número baixo do produto MT47H16M16

 

 

 

Características de MT47H16M16BG-3IT: B

 

• Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
• I/O do JEDEC-padrão 1.8V (SSTL_18-compatible)
• Opção diferencial do estroboscópio dos dados (DQS, DQS #)
• arquitetura do prefetch 4n-bit
• Opção duplicada do estroboscópio da saída (RDQS) para x8
• DLL para alinhar transições de DQ e de DQS com as CK
• 4 bancos internos para a operação simultânea
• Latência programável de CAS (CL)
• Latência aditiva afixada de CAS (AL)
• ESCREVA a latência = latência LIDA - 1 tCK
• Comprimentos estourados selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força ajustável da movimentação da dados-saída
• 64ms, ciclo 8.192 para refrescar
• terminação do Em-dado (ODT)
• Opção industrial da temperatura (a TI)
• Opção automotivo da temperatura (EM)
• RoHS complacente
• Especificação do tremor do pulso de disparo dos apoios JEDEC
 
Temperatura automotivo de MT47H16M16BG-3IT: B
 
A opção automotivo da temperatura (EM), se oferecido, tem duas exigências simultâneas: a temperatura ambiental que cerca o dispositivo não pode ser menos do que – 40°C ou maior do que +105°C, e a temperatura de caso não podem ser menos do que – 40°C ou maior do que as especificações de +105°C. JEDEC exigem refrescam a taxa para dobrar quando o TC excede +85°C; isto igualmente exige o uso do auto de alta temperatura refrescar a opção. Adicionalmente, a resistência de ODT e a impedância do entrada/saída devem ser derated quando o TC é < 0=""> +85°C.
 

Classificações ambientais & da exportação de MT47H16M16BG-3IT: B

 

 

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 3 (168 horas)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024

 

 

 

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