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IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip N Canal PG-TO252-3-901 DPAK 75V 42A
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | Original |
| Certificação: | Original |
| Número do modelo: | IRFR2607ZTRPBF |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo do FET: | N-canal | Drene à tensão da fonte (Vdss): | 75 V |
|---|---|---|---|
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 42A (Tc) | RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 22mOhm @ 30A, 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 50µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 51 nC @ 10 V |
| Realçar: | IRFR2607ZTRPBF,Chip IC Transistor 75V 42A,Canal N IRFR2607ZTRPBF |
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Descrição de produto
IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip N-Channel 75 V 42A PG-TO252-3-901|DPAK
Características do IRFR2607ZTRPBF
Tecnologia de Processo Avançada
Resistência de On Ultra Baixa
175°C Temperatura operacional
Troca rápida
Avalanche repetitiva permitida até Tjamx
sem chumbo
Atributos do produtodeIRFR2607ZTRPBF
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produtos
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IRFR2607ZTRPBF
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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75 V
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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42A (Tc)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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22mOhm @ 30A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 50µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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51 nC @ 10 V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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1440 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Tipo de montagem
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Montagem em superfície
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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PG-TO252-3-901|DPAK
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Pacote / Estojo
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TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
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Número do produto base
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IRFR2607
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Classificações Ambientais e de Exportação de IRFR2607ZTRPBF
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
Descrição deIRFR2607ZTRPBF
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para atingir níveis extremamente baixos
on-resistência por área de silício.As características adicionais deste projeto são uma operação de junção de 175°C
temperatura, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Estas características combinam
para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
