• O transistor IC de FDN335N lasca a montagem de superfície SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Canal Mosfet CI
O transistor IC de FDN335N lasca a montagem de superfície SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Canal Mosfet CI

O transistor IC de FDN335N lasca a montagem de superfície SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Canal Mosfet CI

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: Original
Certificação: Original
Número do modelo: FDN335N

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
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Informação detalhada

Montagem de superfície SOT-23 do P-canal 20 V 1.7A 1W da microplaqueta de IC do transistor de FDN335: 20 V Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 3,5 nC @ 4,5 V Vgs (máximo): ±8V
Realçar:

Microplaqueta de IC do transistor de FDN335N

,

1.7A 1 W.P. Canal Mosfet CI

,

microplaqueta de IC do transistor de 20V 1.7A

Descrição de produto

Montagem de superfície SOT-23 do P-canal 20 V 1.7A 1W da microplaqueta de IC do transistor de FDN335N

 

Características de FDN335N

 

MOSFET do poder de TrenchFET
●Projeto da pilha do alto densidade da ceia

 

Atributos de produto de FDN335N

 

Produto
FDN335N
Tipo do FET
P-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
20 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
3,5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±8V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
310 PF @ 10 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamento
150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23
Pacote/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

Classificações ambientais & da exportação de FDN335N
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 1 (ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Aplicação de FDN335N

 

Proteção da bateria do ※
O ※ carrega o interruptor
Gestão da bateria do ※

 

O transistor IC de FDN335N lasca a montagem de superfície SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Canal Mosfet CI 0

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