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IS42S16800F-6TL Memória SDRAM IC 128Mbit Paralelo 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | IS42S16800F-6TL |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Pacote: | Caixa | Tipo de memória: | Volátil |
|---|---|---|---|
| Formato de memória: | DRAM | Tamanho da Memória: | 128Mbit |
| Organização da memória: | 8M x 16 | Interface de memória: | Paralelo |
| Frequência do relógio: | 166 MHz | ||
Descrição de produto
IS42S16800F-6TL Memória SDRAM IC 128Mbit Paralelo 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Especificações de IS42S16800F-6TL
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | ISSI, Solução Integrada de Silício Inc. |
| Série | - |
| Pacote | Caixa |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM |
| Tamanho da Memória | 128Mbit |
| Organização da memória | 8M x 16 |
| Interface de memória | Paralelo |
| Frequência do relógio | 166 MHz |
| Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | - |
| Tempo de acesso | 5.4 ns |
| Voltagem - Fornecimento | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 54-TSOP II |
| Número do produto de base | IS42S16800 |
Características do IS42S16800F-6TL
• Frequência do relógio: 200, 166, 143 MHz
• Totalmente sincronizado; todos os sinais referenciados a uma ponta positiva do relógio
• Banco interno para acesso/pré-carregamento em fila de esconderijos
• Fornecimento de energia Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3.3V 3.3V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• Interface LVTTL
• comprimento de rajada programável
️ (1, 2, 4, 8, página completa)
• Sequência de explosão programável: Sequencial/Interleave
• A actualização automática (CBR)
• Refrescar-se
• 4096 ciclos de atualização a cada 16 ms (grado A2) ou 64 ms (grado comercial, industrial, A1)
• Endereço de coluna aleatório a cada ciclo de relógio
• Latência CAS programável (2, 3 horas)
• Capacidade de leitura/escritura em tempo real e de leitura/escritura em tempo real
• Terminação da explosão por comando de parada da explosão e pré-carga
• Intervalos de temperatura:
- Comercial (0oC a +70oC)
- Indústria (-40°C a +85°C)
- Automóvel, A1 (-40oC a +85oC)
- Automóvel, A2 (-40°C a +105°C)
Descrições deIS42S16800F-6TL
A SDRAM de 128 Mb é uma memória CMOS de acesso aleatório dinâmico de alta velocidade projetada para operar em sistemas de memória 3.3 V Vdd e 3.3 V Vddq contendo 134,217728 bits.
Classificações ambientais e de exportação deIS42S16800F-6TL
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
