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MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L Memória IC 2Gbit Paralelo 800 MHz 13,75 ns
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | MT41K128M16JT-125 AAT: K |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de memória: | Volátil | Formato de memória: | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | SDRAM - DDR3L | Tamanho da Memória: | 2Gbit |
| Organização da memória: | 128M x 16 | Interface de memória: | Paralelo |
| Frequência do relógio: | 800 MHz | Tempo de acesso: | 13.75 ns |
Descrição de produto
MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L Memória IC 2Gbit Paralelo 800 MHz 13,75 ns
Especificações de MT41K128M16JT-125 AAT:K
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Série | Automóveis, AEC-Q100 |
| Pacote | Caixa |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da Memória | 2Gbit |
| Organização da memória | 128M x 16 |
| Interface de memória | Paralelo |
| Frequência do relógio | 800 MHz |
| Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | - |
| Tempo de acesso | 13.75 ns |
| Voltagem - Fornecimento | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 96-TFBGA |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 96-FBGA (8x14) |
| Número do produto de base | MT2M2M2M2 |
Características doMT41K128M16JT-125 AAT:K
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 ∼1,45 V)
• Compatível com VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Estroboscopo bidirecional de dados diferencial
• Arquitetura de prefetch de 8n-bit
• Entradas de relógio diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminação nominal e dinâmica (ODT) para sinais de dados, estroboscopo e máscara
• Latência de CAS (READ) programável (CL)
• Latência aditiva de CAS programável (AL)
• Latência CAS (WRITE) programável (CWL)
• comprimento fixo de explosão (BL) de 8 e corte de explosão (BC) de 4 (através do conjunto de registo de modo [MRS])
• BC4 ou BL8 selecionáveis on-the-fly (OTF)
• Modo de auto-realização
• Reaproveitar o tempo máximo de intervalo no intervalo de temperatura TC
- 64 ms a - 40°C a + 85°C
32 ms a +85°C a +105°C
- 16 ms a +105°C a +115°C
8 ms a +115°C a +125°C
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Auto-realização automática (ASR)
• Escrever nivelamento
• Registo multifuncional
Descrições deMT41K128M16JT-125 AAT:K
O dispositivo 1.35V DDR3L SDRAM é uma versão de baixa tensão do dispositivo 1.5V DDR3 SDRAM.
Classificações ambientais e de exportação deMT41K128M16JT-125 AAT:K
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
