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IRF6713STRPBF N-Channel 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | IRF6713STRPBF |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3mOhm @ 22A, 10V |
|---|---|---|---|
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 25 V | Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 22A (Ta), 95A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 4.5V, 10V | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 50μA | Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 2880 pF @ 13 V |
Descrição de produto
IRF6713STRPBF N-Channel 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
Especificações deIRF6713STRPBF
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Série | HEXFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 25 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 95A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 13 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DIRECTFETTM SQ |
| Embalagem / Caixa | DirectFETTM Isométrico SQ |
Características doIRF6713STRPBF
Compatível com a RoHS, sem chumbo e brometo
Perfil baixo (< 0,7 mm)
Compatível com resfriamento de dois lados
Indutividade de embalagem ultra baixa
Otimizado para comutação de alta frequência
Ideal para conversores de CC-DC do núcleo da CPU
Otimizado tanto para Sync.FET e alguns Control FET aplicação
Baixa condução e perdas de comutação
Compatível com as técnicas de montagem de superfície existentes
100% Rg testado
Descrições deIRF6713STRPBF
The IRF6713SPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0Perfil de 0,7 mm. O pacote DirectFET é compatível com as geometrias de layout existentes utilizadas em aplicações de energia, equipamento de montagem de PCB e técnicas de solda de fase de vapor, infravermelho ou de convecção,quando for seguida a nota de pedido AN-1035 relativamente aos métodos e processos de fabricoO pacote DirectFET permite o resfriamento de dois lados para maximizar a transferência térmica nos sistemas de energia, melhorando a melhor resistência térmica anterior em 80%.
Classificações ambientais e de exportação deIRF6713STRPBF
| Atributo | Descrição |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
