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FM25L04B-GATR FRAM (RAM ferroelétrica) IC de memória 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | FM25L04B-GATR |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Formato de memória: | FRAM | Tecnologia: | FRAM (RAM Ferroelectric) |
|---|---|---|---|
| Tamanho da Memória: | 4Kbit | Organização da memória: | 512 x 8 |
| Interface de memória: | SPI | Frequência do relógio: | 10 MHz |
| Voltagem - Fornecimento: | 3 V ~ 3,6 V | Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 125°C (TA) |
Descrição de produto
FM25L04B-GATR FRAM (RAM ferroelétrica) IC de memória 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Especificações de FM25L04B-GATR
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Série | Automóveis, AEC-Q100, F-RAMTM |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de memória | Não voláteis |
| Formato de memória | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Tamanho da Memória | 4Kbit |
| Organização da memória | 512 x 8 |
| Interface de memória | SPI |
| Frequência do relógio | 10 MHz |
| Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | - |
| Voltagem - Fornecimento | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC |
| Número do produto de base | FM25L04 |
Características do FM25L04B-GATR
■ Memória de acesso aleatório ferroelétrica (F-RAM) de 4 Kbit organizada logicamente como 512 × 8
¢ Alta resistência 10 trilhões (1013) de leitura/escritura
¢ 121-ano de conservação dos dados (ver o quadro "Retenção e duração dos dados")
NoDelayTM escreve
¢ Processo ferroelétrico avançado de alta fiabilidade
■ Interface periférica serial (SPI) muito rápida
Frequência até 10 MHz
Substituição directa do hardware do flash serial e da EEPROM
Suporta o modo SPI 0 (0, 0) e o modo 3 (1, 1)
■ Sistema sofisticado de protecção de escrita
Proteção do hardware com o pin Proteção por gravação (WP)
Proteção de software usando a instrução Write Disable
Proteção de blocos de software para 1/4, 1/2 ou toda a matriz
■ Baixo consumo de energia
¥ 200 ¥A de corrente ativa a 1 MHz
A corrente de espera (típica) de 6 A a + 85 C
■ Função de baixa tensão: VDD = 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura do automóvel: de 40°C a +125°C
■ Pacote de circuito integrado de contorno pequeno (SOIC) de 8 pinos
■ Compatível com a norma AEC Q100 grau 1
■ Restrição de substâncias perigosas (RoHS)
Aplicações de FM25L04B-GATR
A FM25L04B é uma memória não volátil de 4 Kbit empregando um processo ferroelétrico avançado.O sistema permite a conservação de dados de forma fiável durante 121 anos, eliminando simultaneamente as complexidades, sobrecarga e problemas de fiabilidade a nível do sistema causados por flash serial, EEPROM e outras memórias não voláteis.
Classificações ambientais e de exportação deFM25L04B-GATR
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
