• ESD7181MUT5G 35V (tipo) Grampos 1A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN
ESD7181MUT5G 35V (tipo) Grampos 1A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN

ESD7181MUT5G 35V (tipo) Grampos 1A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: ESD7181MUT5G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
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Informação detalhada

Canais bidirecionais: 1 Tensão - Isolamento Reverso (Típico): 18.5V (máximo)
Tensão - Quebra (Min): 20.5V Tensão - apertando (máximo) @ a IPP: 35V (tipo)
Corrente - Pico de Pulso (10/1000µs): 1A (8/20µs) Proteção de linha elétrica: - Não.
Aplicações: Antena do RF Frequência da capacidade @: 0.3pF @ 1MHz

Descrição de produto

ESD7181MUT5G 35V (tipo) Grampos 1A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN
 
Especificações de ESD7181MUT5G

 

TÍPO Descrição
Categoria Proteção de circuitos
  Supressores de tensão transitória (TVS)
  Diodos TVS
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo Zener
Canais bidirecionais 1
Voltagem - Paragem em reverso (tipo) 18.5V (máximo)
Voltagem - ruptura (min) 20.5V
Voltagem - Prensagem (máximo) @ Ipp 35V (tipo)
Corrente - Pico de pulso (10/1000μs) 1A (8/20μs)
Potência - Pulsão máxima -
Proteção da linha de alimentação - Não, não.
Aplicações Antenna de RF
Capacidade @ Frequência 0.3pF @ 1MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 0201 (0603 métricas)
Pacote de dispositivos do fornecedor 2-X3DFN (0,6x0,3) (0201)
Número do produto de base ESD7181

 

Características do ESD7181MUT5G


• Baixa Capacidade 0,3 pF (típica)
• Baixa tensão de fixação
• Pequenas dimensões do contorno do corpo: (0,62 x 0,32 mm) − 0201
• Baixa altura do corpo: 0,3 mm
• Tensão de funcionamento: ± 18,5 V
• Baixa fuga < 1 nA (típica)
• Baixa perda de inserção
• Baixa resistência dinâmica: < 1
• Proteção ESD de nível 4 IEC61000-4-2
• Prefixo SZ para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, livres de Halógenos/BFR e são compatíveis com a RoHS

 

 

Aplicações de ESD7181MUT5G


• Proteção ESD do sinal de RF
• Carregador sem fio
• Comutação de RF, PA e Proteção ESD da Antena
• Comunicações de campo próximo

 


Classificações ambientais e de exportação deESD7181MUT5G

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 
ESD7181MUT5G 35V (tipo) Grampos 1A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN 0
 

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