• BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3
BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: BC858ALT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 1-3 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100,000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP Atual - coletor (CI) (máximo): 100 miliampères
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 30 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 650mV @ 5mA, 100mA
Atual - interrupção do coletor (máxima): 15nA (ICBO) Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Potência - Máximo: 300 mW Frequência - transição: 100 MHz
Realçar:

BC858ALT1G

,

BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar

Descrição de produto

BC858ALT1G Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

 

Especificações deBC858ALT1G

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de transistor PNP
Corrente - colector (Ic) (máximo) 100 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 30 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - limite do colector (máximo) 15nA (ICBO)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Potência - Máximo 300 mW
Frequência - Transição 100 MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto de base BC858

 
Características do BC858ALT1G


• Prefixo S e NSV para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo;

AEC-Q101 Qualificado e capaz de PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, livres de Halógenos/BFR e são compatíveis com a RoHS

 

 

 

Aplicações de BC858ALT1G


xx = Código do dispositivo
xx = (ver página 6)
M = Código de data*
= Pacote livre de Pb

 

 

 

Classificações ambientais e de exportação deBC858ALT1G

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3 0

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em BC858ALT1G Transistor BJT Bipolar PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3 você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.