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AT28C040-20FI EEPROM Memória IC 4Mbit Paralelo 200 Ns 32-FlatPack Bottom-Brazed
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | Origem |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | AT28C040-20FI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 1-3 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100,000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo de memória: | Não voláteis | Formato de memória: | EEPROM |
|---|---|---|---|
| Tamanho da Memória: | 4Mbit | Organização da memória: | 512K x 8 |
| Interface de memória: | Paralelo | Escreva o tempo do ciclo - palavra, página: | 10 ms |
| Tempo de acesso: | 200 ns | Voltagem - Fornecimento: | 4.5V ~ 5.5V |
| Realçar: | AT28C040-20FI,AT28C040-20FI IC de memória EEPROM |
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Descrição de produto
AT28C040-20FI EEPROM Memória IC 4Mbit Paralelo 200 ns 32-FlatPack Bottom-Brazed
Especificações de AT28C040-20FI
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Tecnologia de microchip |
| Série | - |
| Pacote | Tubos |
| Tipo de memória | Não voláteis |
| Formato de memória | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Tamanho da Memória | 4Mbit |
| Organização da memória | 512K x 8 |
| Interface de memória | Paralelo |
| Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | 10 ms |
| Tempo de acesso | 200 ns |
| Voltagem - Fornecimento | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 32-CFlatPack |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 32-FlatPack, cerâmica de fundo soldado |
| Número do produto de base | AT28C040 |
Especificações do AT28C040-20FI
• Tempo de acesso à leitura ¥ 200 ns
• Operação automática de escrita de páginas
¢ Endereços internos e fechaduras de dados para 256 bytes
¢ temporizador de controlo interno
• Tempo de ciclo de escrita rápido
Tempo de ciclo de gravação de página 10 ms no máximo
Operação de escrita de página de 1 a 256 bytes
• Baixa dissipação de energia
Corrente ativa de 50 mA
• Proteção de dados de hardware e software
• Análise de dados para detecção de fim de escrita
• Tecnologia CMOS de alta fiabilidade
Endurance: 10.000 ciclos
¢ Conservação dos dados: 10 anos
• Fornecimento único de 5 V ± 10%
• Input e Output compatíveis com CMOS e TTL
• JEDEC aprovado Byte-Wide Pinout
IntroduçãoAT28C040-20FI
O AT28C040 é uma memória de leitura (EEPROM) de alto desempenho, apagável e programável eletricamente.Fabricado com tecnologia CMOS não volátil avançada da Atmel, o dispositivo oferece tempos de acesso de 200 ns com dissipação de energia de apenas 440 mW.
Classificações ambientais e de exportação deAT28C040-20FI
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Não conformes com a RoHS |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | 3A001A2C |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
