• 2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP montado na superfície
2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP montado na superfície

2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP montado na superfície

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: 2SA2013-TD-E

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Informação detalhada

Tipo de transistor: PNP Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 50V
Atual - coletor (CI) (máximo): 0.166666667 Atual - interrupção do coletor (máxima): 1μA (ICBO)
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 340 mV @ 100 mA, 2A Potência - Máximo: 3.5v
Frequência - transição: 400 MHz Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Realçar:

2SA2013-TD-E

,

2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP

Descrição de produto

2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP montado na superfície

 

Especificações de 2SA2013-TD-E

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Estatuto do produto Atividade
Tipo de transistor PNP
Corrente - colector (Ic) (máximo) 0.166666667
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 50 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 340 mV @ 100 mA, 2A
Corrente - limite do colector (máximo) 1μA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Potência - Máximo 3.5 W
Frequência - Transição 400 MHz
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa TO-243AA
Pacote de dispositivos do fornecedor PCP
Base Pro2SA2013-TD-E Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Monte de superfície PCPnúmero de conduto 2SA2013

 

Aplicação 2SA2013-TD-E


• condutores de relés, condutores de lâmpadas, condutores de motores, flash

 

Características do 2SA2013-TD-E


• Adopção de processos FBET e MBIT
• Grande capacidade de corrente
• Baixa tensão de saturação do colector para o emissor
• Comutação de alta velocidade
• A embalagem ultrapequena facilita a miniaturização dos produtos finais
• Alta dissipação de potência admissível

 

 

Classificações ambientais e de exportação de2SA2013-TD-E

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3,5 W PCP montado na superfície 0

 

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