• IS42S16320F-7TLI SRAM Memória SDR síncrona IC 4.5Mbit paralelo 117 MHSRAM
IS42S16320F-7TLI SRAM Memória SDR síncrona IC 4.5Mbit paralelo 117 MHSRAM

IS42S16320F-7TLI SRAM Memória SDR síncrona IC 4.5Mbit paralelo 117 MHSRAM

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: IS42S16320F-7TLI

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tamanho da Memória: 4.5Mbit Organização da memória: 128K x 36
Interface de memória: Paralelo Número do produto de base: IS64LF12836
Frequência do relógio: 117 megahertz Tempo de acesso: 7,5 ns
Voltagem - Fornecimento: 3.135V ~ 3.465V Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 125°C (TA)

Descrição de produto

IS42S16320F-7TLI SRAM Memória SDR síncrona IC 4.5Mbit paralelo 117 MHSRAM

 

Especificações de IS64LF12836EC-7.5B3LA3

 

TÍPO Descrição
Categoria Circuitos integrados (CI)
  Memória
  Memória
Mfr ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Pacote Caixa
Tipo de memória Volátil
Formato de memória SRAM
Tecnologia SRAM - Sincronizado, DEG
Tamanho da Memória 4.5Mbit
Organização da memória 128K x 36
Interface de memória Paralelo
Frequência do relógio 117 MHz
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 7.5 ns
Voltagem - Fornecimento 3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 165-TBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor 165-TFBGA (13x15)
Número do produto de base IS64LF12836

 

Especificações de IS64LF12836EC-7.5B3LA3


* Ciclo de gravação auto-temporizado interno
* Controle de gravação de bytes individuais e gravação global
* Controle por relógio, endereço registado, dados e controlo
* Controle de sequência de explosão usando entrada MODE
* Opção de habilitação de três chips para expansão de profundidade simples e pipelining de endereços
* Entradas e saídas de dados comuns
* Desligação automática durante a deseleção
* Desmarcar ciclo único
* Modo Snooze para estado de espera de potência reduzida
* Pacotes JEDEC QFP de 100 pinos, BGA de 165 e BGA de 119 bolas
* Fornecimento de energia:
* LF: VDD 3,3 V (± 5%), VDDQ 3,3 V/2,5 V (± 5%)
* VF: VDD 2,5 V (± 5%), VDDQ 2,5 V (± 5%)
* Análise de limites do JTAG para pacotes BGA
* Suporte de temperatura industrial e automóvel
* Disponível sem chumbo
* Detecção e correcção de erros

 

 

Aplicações de IS64LF12836EC-7.5B3LA3


A família de produtos de 4 Mb possui RAMs estáticas síncronas de alta velocidade e baixa potência projetadas para fornecer memória explosiva e de alto desempenho para aplicações de comunicação e rede.

 

 

Ambiental &Classificações de exportação de IS64LF12836EC-7.5B3LA3

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 3 (168 horas)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

 

IS42S16320F-7TLI SRAM Memória SDR síncrona IC 4.5Mbit paralelo 117 MHSRAM 0

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