• FDB110N15A N-Channel 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)
FDB110N15A N-Channel 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)

FDB110N15A N-Channel 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: FDB110N15A

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 150 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 92A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Vgs (máximo): ± 20V

Descrição de produto

FDB110N15A N-Channel 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263)

 

Especificações de FDB110N15A

 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  FET, MOSFET
  FETs únicos, MOSFETs
Mfr semi-
Série PowerTrench®
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 150 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 92A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 92A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 75 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 234W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor D2PAK (TO-263)
Embalagem / Caixa TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto de base FDB110

 

 

Características do FDB110N15A


• RDS ((on) = 9,25 mΩ (Typ.) @ V GS = 10 V, ID = 92 A
• Velocidade de mudança rápida
• Baixa taxa de entrada
• Tecnologia de trincheira de alto desempenho para RDS extremamente baixos ((on))
• Alta potência e capacidade de manuseio de corrente
• Compatível com a RoHS

 

 

Aplicações de FDB110N15A


• Rectificação síncrona para ATX / Server / Telecom PSU
• Circuito de protecção da bateria
• Acionamento de motores e fontes de alimentação ininterruptas
• Inversor Micro Solar

 

 

 

Ambiental &Classificações de exportação de FDB110N15A
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

FDB110N15A N-Channel 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Monte de superfície D2PAK (TO-263) 0

 

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