• ESD8472MUT3G 20V Grampos 3A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN
ESD8472MUT3G 20V Grampos 3A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN

ESD8472MUT3G 20V Grampos 3A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: ESD8472MUT3G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Canais bidirecionais: 1 Tensão - Isolamento Reverso (Típico): 5.3V (máximo)
Tensão - Quebra (Min): 7V Tensão - apertando (máximo) @ a IPP: 20 V
Corrente - Pico de Pulso (10/1000µs): 3A (8/20µs) Aplicações: Antena do RF
Frequência da capacidade @: 0.2pF @ 1MHz Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Descrição de produto

ESD8472MUT3G 20V Grampos 3A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN

 

Especificações de ESD8472MUT3G

 

TÍPO Descrição
Categoria Proteção de circuitos
  Supressores de tensão transitória (TVS)
  Diodos TVS
Mfr semi-
Série -
Pacote Tape & Reel (TR)
  Faixa de corte (TC)
Tipo Zener
Canais bidirecionais 1
Voltagem - Paragem em reverso (tipo) 5.3V (máximo)
Voltagem - ruptura (min) 7V
Voltagem - Prensagem (máximo) @ Ipp 20 V
Corrente - Pico de pulso (10/1000μs) 3A (8/20μs)
Potência - Pulsão máxima -
Proteção da linha de alimentação - Não, não.
Aplicações Antenna de RF
Capacidade @ Frequência 0.2pF @ 1MHz
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 0201 (0603 métricas)
Pacote de dispositivos do fornecedor 2-X3DFN (0,6x0,3) (0201)
Número do produto de base ESD8472

 

 

Características do ESD8472MUT3G


• Líder da indústria na linearidade da capacidade sobre a tensão
• Capacidade ultra-baixa: 0,2 pF
• Perda de inserção: 0,030 dBm
• Pequena pegada: 0,62 mm x 0,32 mm
• Tensão de parada: 5,3 V
• Baixa fuga: < 1 nA
• Baixa resistência dinâmica: < 1
• 1000 ESD IEC61000−4−2 Batidas ±8 kV Contato / Air Discharged
• Prefixo SZ para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, livres de Halógenos e estão em conformidade com a RoHS

 

 

 

Aplicações de ESD8472MUT3G


• Proteção ESD do sinal de RF
• Comutação de RF, PA e Proteção ESD da Antena
• Comunicações de campo próximo
• USB 2.0USB 3.0

 

 

Ambiental &Classificações de exportação de ESD8472MUT3G
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 

ESD8472MUT3G 20V Grampos 3A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo de superfície montado 2-X3DFN 0

 

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