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BAV21WS-HE3-18 Diodo 200 V 250 mA Montador de superfície SOD-323
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | BAV21WS-HE3-18 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Tecnologia: | Padrão | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 200 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - média retificada (Io): | 250mA | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.25 V @ 200 mA |
| Velocidade: | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) | Tempo de recuperação inverso (trr): | 50 ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 nA @ 200 V | Capacidade @ Vr, F: | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Descrição de produto
AT91SAM7X512B-AU ARM7® SAM7X Microcontrolador IC 16/32-Bit 55MHz 512KB FLASH
Especificações de BAV21WS-HE3-18
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Diodos | |
| Rectificadores | |
| Diodos únicos | |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos |
| Série | Automóveis, AEC-Q101 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Faixa de corte (TC) | |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tecnologia | Padrão |
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo) | 200 V |
| Corrente - média retificada (Io) | 250 mA |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo) | 1.25 V @ 200 mA |
| Velocidade | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
| Tempo de recuperação inverso (trr) | 50 ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 100 nA @ 200 V |
| Capacidade @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | SC-76, SOD-323 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOD-323 |
| Temperatura de funcionamento - Junção | 150°C (máximo) |
| Número do produto de base | BAV21 |
Características do BAV21WS-HE3-18
* Incorpora o processador ARM Thumb® ARM7TDMI
- Arquitetura RISC de 32 bits de alto desempenho
- Conjunto de instruções de 16 bits de alta densidade
- Líder em MIPS/Watt
- Emulação em circuito do EmbeddedICETM, suporte ao canal de comunicação de depuração
* Flash interno de alta velocidade
- 512 Kbytes (SAM7X512) organizados em dois bancos de 1024 páginas de 256 bytes (Dual Plane)
- 256 Kbytes (SAM7X256) Organizado em 1024 Páginas de 256 Bytes (Plano Único)
- 128 Kbytes (SAM7X128) Organizado em 512 páginas de 256 bytes (Plano Único)
- Acesso de ciclo único até 30 MHz em condições de pior cenário
- Prefetch Buffer Otimização da execução de instruções do polegar na velocidade máxima
- Tempo de programação da página: 6 ms, incluindo o apagamento automático da página, Tempo de apagamento total: 15 ms
- 10.000 ciclos de gravação, capacidade de retenção de dados de 10 anos, capacidades de bloqueio de setor, Flash Security Bit
- Interface de programação Fast Flash para produção em grande volume
* SRAM interna de alta velocidade, acesso de ciclo único a velocidade máxima
- 128 Kbytes (SAM7X512)
- 64 Kbytes (SAM7X256)
- 32 Kbytes (SAM7X128)
Aplicações de BAV21WS-HE3-18
Caso: SOD-323
Peso: aproximadamente 4,3 mg
Códigos/opções de embalagem:
18/10K por bobina de 13" (8 mm de fita), 10K por caixa
08/3K por rolo de 7" (8 mm de fita), 15K/caixa
Ambiental &Classificações de exportação de BAV21WS-HE3-18
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
