• SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W através do buraco TO-92-3
SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W através do buraco TO-92-3

SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W através do buraco TO-92-3

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Origem
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: SS8050DTA

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo do transistor: NPN Atual - coletor (CI) (máximo): 1,5 A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 25 V Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: 500mV @ 80mA, 800mA
Atual - interrupção do coletor (máxima): 100nA (ICBO) Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Potência - Máximo: 1 W Frequência - transição: 100 MHz

Descrição de produto

SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W através do buraco TO-92-3
 
Especificações deSS8050DTA
 

TÍPO Descrição
Categoria Produtos de semicondutores discretos
  Transistores
  Bipolar (BJT)
  Transistores bipolares únicos
Mfr semi-
Série -
Pacote Faixa de corte (TC)
  Caixa e fita (TB)
Tipo de transistor NPN
Corrente - colector (Ic) (máximo) 1.5 A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 25 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Corrente - limite do colector (máximo) 100nA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Potência - Máximo 1 W
Frequência - Transição 100 MHz
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores moldados
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-92-3
Número do produto de base SS8050

 
 
Características doSS8050DTA


• Amplificador de saída de 2 W de rádios portáteis de classe B
• Complementar ao SS8550
• Corrente do colector: IC = 1,5 A
• Estes Dispositivos são livres de Pb−, de Halógenos/BFR e estão em conformidade com a RoHS

 


Aplicações deSS8050DTA


Tamanho do PCB: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1,57 mm (3,0 polegadas x 4,5 polegadas x 0,062 polegadas) com tamanho mínimo do padrão de terra.

 


Classificações ambientais e de exportação deSS8050DTA
 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) Não aplicável
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W através do buraco TO-92-3 0

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