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FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Monte de superfície TO-263AB (D2PAK)
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | FESB8DTHE3 - 81 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tecnologia: | Padrão | Tensão - reverso da C.C. (Vr) (máximo): | 200 V |
|---|---|---|---|
| Atual - média retificada (Io): | 8A | Tensão - dianteira (Vf) (máximo) @ se: | 950 mV @ 8 A |
| velocidade: | =< rápido 500ns da recuperação, > 200mA (Io) | Tempo de recuperação reversa (trr): | 35 ns |
| Atual - escapamento reverso @ Vr: | 10 μA @ 200 V | Temperatura de funcionamento - junção: | -55°C ~ 150°C |
Descrição de produto
FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Monte de superfície TO-263AB (D2PAK)
Especificações deFESB8DTHE3 - 81
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Diodos | |
| Rectificadores | |
| Diodos únicos | |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos |
| Série | Automóveis, AEC-Q101 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tecnologia | Padrão |
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo) | 200 V |
| Corrente - média retificada (Io) | 8A |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo) | 950 mV @ 8 A |
| Velocidade | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
| Tempo de recuperação inverso (trr) | 35 ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 10 μA @ 200 V |
| Capacidade @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263AB (D2PAK) |
| Temperatura de funcionamento - Junção | -55°C ~ 150°C |
| Número do produto de base | FESB8 |
Características doFESB8DTHE3 - 81
• Junção de chip passivada de vidro
• Tempo de recuperação extremamente rápido
• Baixas perdas de comutação, elevada eficiência
• Baixa corrente de fuga
• Capacidade de alta onda para a frente
• Cumprir o nível MSL 1, por J-STD-020, LF pico máximo de 245 °C (para embalagem TO-263AB)
• Mergulho de solda a 260 °C, 40 s (para pacotes TO-220AC e ITO-220AC)
• Componente em conformidade com RoHS 2002/95/CE e WEEE 2002/96/CE
Aplicações deFESB8DTHE3 - 81
Para utilização em retificadores de alta frequência de fontes de alimentação de modo de comutação, inversores, diodos de rotação livre, conversores dc-a-dc e outras aplicações de comutação de energia.
Classificações ambientais e de exportação deFESB8DTHE3 - 81
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
